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盛美新一代Ultra C SAPS III兆聲波單片清洗設(shè)備亮相Semicon

2014-03-17 08:00 6274
由盛美半導(dǎo)體設(shè)備(上海)有限公司自主研發(fā)的新一代12英寸8腔Ultra C SAPS III兆聲波單片清洗設(shè)備亮相Semicon China(展位:N2館2567)。
 

上海2014年3月17日電 /美通社/ -- 由盛美半導(dǎo)體設(shè)備(上海)有限公司自主研發(fā)的新一代12英寸8腔Ultra C SAPS III兆聲波單片清洗設(shè)備亮相Semicon China(展位:N2館2567)。此臺(tái)設(shè)備較大的三個(gè)亮點(diǎn)為:小面積、高效率、更環(huán)保。

“隨著技術(shù)節(jié)點(diǎn)進(jìn)入20納米,清洗工藝的步數(shù)在不斷增加,幾乎接近全部生產(chǎn)工藝的三分之一,需要的單片清洗設(shè)備更多。此時(shí),為了提高fab的產(chǎn)能,減少單片清洗設(shè)備的占地面積成為刻不容緩的需求。”盛美半導(dǎo)體設(shè)備公司的創(chuàng)始人、首席執(zhí)行官王暉博士說(shuō),“在不損失芯片材料的同時(shí),去除微小顆粒及污染成為當(dāng)今清洗工藝的一大難題。盛美用獨(dú)創(chuàng)的SAPS(Space Alternated Phase Shift)兆聲波技術(shù)與更稀的化學(xué)液(ppm量級(jí))配合,可以解決這一難題。裝備該技術(shù)的Ultra C SAPS II已在國(guó)際大生產(chǎn)線上穩(wěn)定運(yùn)行兩年多,大幅提高了客戶產(chǎn)品的良率?!?/p>

這臺(tái)Ultra C SAPS III兆聲波單片清洗設(shè)備占地面積僅為2.25米(W)×2.5米(L),是傳統(tǒng)單片清洗設(shè)備占地面積的二分之一,是目前業(yè)界同級(jí)別,相同配置中面積較小的12英寸單片清洗設(shè)備,較大產(chǎn)量可達(dá)400片/小時(shí)。設(shè)備可根據(jù)工藝需求,配置兩種化學(xué)液,ppm量級(jí)的化學(xué)液也可緩解當(dāng)今fab受到的日益增長(zhǎng)的環(huán)境保護(hù)的壓力。

消息來(lái)源:盛美
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