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盛美無應(yīng)力拋光技術(shù)克服Cu/low-k互聯(lián)結(jié)構(gòu)平坦化技術(shù)瓶頸

上海2015年3月16日電 /美通社/ -- 隨著半導(dǎo)體集成電路產(chǎn)業(yè)的飛速發(fā)展,為了克服隨著技術(shù)節(jié)點減小帶來的阻容遲滯(RC Delay),銅低k / 超低k 介質(zhì)互連結(jié)構(gòu)被引入半導(dǎo)體工業(yè)中。因為低k / 超低k 介質(zhì)材料脆弱的機(jī)械性能,阻礙其被廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體器件量產(chǎn)中。

“盛美最新開發(fā)的無應(yīng)力拋光(the Ultra SFP)設(shè)備,能夠?qū)τ?8nm至40nm及以下節(jié)點銅低k/超低k互聯(lián)結(jié)構(gòu)進(jìn)行無應(yīng)力,無損傷的拋光?!笔⒚腊雽?dǎo)體設(shè)備公司的創(chuàng)始人、首席執(zhí)行官王暉博士說,“該設(shè)備整合了無應(yīng)力拋光工藝(SFP),熱氣相蝕刻工藝 (TFE);并且可以和現(xiàn)有生產(chǎn)線所使用的傳統(tǒng)化學(xué)機(jī)械研磨工藝(CMP)無縫銜接,在下一代工藝技術(shù)節(jié)點應(yīng)用中,無需對現(xiàn)有 CMP 設(shè)備進(jìn)行升級改造;利用其各自獨特的工藝優(yōu)點,確保整個工藝對銅互連結(jié)構(gòu)無任何損傷。”

無應(yīng)力拋光設(shè)備應(yīng)用于銅低k / 超低k 互連結(jié)構(gòu)有諸多優(yōu)點:其一,依靠拋光自動停止原理,平坦化工藝后凹陷更均勻及精確可控;其二,工藝簡單,采用環(huán)保的可以循環(huán)實用的電化學(xué)拋光液,沒有拋光墊,研磨液等,耗材成本降低50%以上;對互聯(lián)結(jié)構(gòu)中金屬層和介質(zhì)層無劃傷及機(jī)械損傷;其三,可以將工藝擴(kuò)展至新型材料鈷(Co)和釕(Ru)作為阻擋層的銅低k / 超低k 互聯(lián)結(jié)構(gòu)中。

消息來源:盛美半導(dǎo)體設(shè)備(上海)有限公司
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關(guān)鍵詞: 電腦/電子 半導(dǎo)體
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