上海2009年6月2日電 /美通社亞洲/ -- 中芯國際集成電路制造有限公司（“中芯國際”，紐約證交所股票代碼：SMI，香港聯(lián)合交易所股票代碼：981）,世界領先的集成電路制造公司之一，與領先的非易失性內(nèi)存產(chǎn)品和 IP 供應商常憶科技今日共同宣布，已成功推出中芯國際0.18微米嵌入式閃存工藝技術和 IP 組合包。
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基于常憶科技第三代 2T PMOS flash (pFLASH(TM)) 單元結(jié)構(gòu)專利，中芯國際的0.18微米嵌入式快閃記憶體工藝，是芯片代工領先業(yè)者和嵌入式非揮發(fā)性記憶體專業(yè)廠商緊密合作的成果，現(xiàn)已全面通過認證并即將批量生產(chǎn)。這一工藝技術可為客戶提供高性能，符合成本效益的非揮發(fā)性記憶體解決方案，具有高耐性（多達100K 的周期）和數(shù)據(jù)保存長久（可達10年）的優(yōu)勢，已通過品質(zhì)驗證并達成高良率目標。
憑借其低功耗，面積小，配置靈活的優(yōu)點，0.18微米嵌入式快閃記憶體工藝對客戶極具吸引力，可參與廣泛的應用，如微控制器，USB 鑰匙，智能卡，以及快速成長的汽車電子應用?？蛻艨蓪?.18微米技術作為一個起點，如已用更大的技術節(jié)點生產(chǎn)，也可快速切入該先進技術進行設計 。
“由于潛在的市場規(guī)模及廣泛的應用，尤其是在中國，0.18微米嵌入式閃存工藝技術的推出具有重要意義?！敝行緡H市場及業(yè)務中資深副總裁陳秋峰博士表示，“作為全球領先的代工廠商，中芯國際可提供嵌入式閃存和 EEPROM 技術以充分滿足我們客戶的需求?！?/p>
“這項先進的新技術能使客戶開發(fā)出高性能的產(chǎn)品并取得顯著的成本效益”，常憶科技總裁兼首席執(zhí)行官王筱瑜表示?！拔覀兒芨吲d與中芯國際合作，在如此短的時間內(nèi)成功建立了第三代 pFLASH 平臺。”
關于中芯國際
中芯國際集成電路制造有限公司（“中芯國際”， 紐約證交所股票代碼：SMI，香港聯(lián)合交易所股票代碼：981），是世界領先的集成電路芯片代工企業(yè)之一，也是中國內(nèi)地規(guī)模較大、技術先進的集成電路芯片代工企業(yè)。中芯國際向全球客戶提供0.35微米到45納米芯片代工與技術服務。中芯國際總部位于上海，在上海建有一座300mm 芯片廠和三座200mm 芯片廠。在北京建有兩座300mm 芯片廠,在天津建有一座200mm 芯片廠，在深圳有一座200mm 芯片廠在興建中，在成都擁有一座封裝測試廠。中芯國際還在美國、歐洲、日本提供客戶服務和設立營銷辦事處，同時在香港設立了代表處。此外，中芯代成都成芯半導體制造有限公司經(jīng)營管理一座200mm 芯片廠，也代武漢新芯集成電路制造有限公司經(jīng)營管理一座300mm 芯片廠。詳細信息請參考中芯國際網(wǎng)站 http://www.smics.com 。
關于 Chingis 科技公司
Chingis 科技是一家無制造廠的半導體廠商，采用 JEDEC 標準，主營用于計算、數(shù)字產(chǎn)品、無線和網(wǎng)絡應用中的閃存和其它類型嵌入式存儲產(chǎn)品（如 OTP/MTP/Flash/EEPROM）。Chingis 稱得上是 P-channel 非揮發(fā)性記憶體技術方面的先驅(qū)者。1995年在美國加州圣荷塞市，Chingis 曾以 pFLASH-Chingis 專有的 P-Channel 技術為基礎，生產(chǎn)出質(zhì)量較好的，最耐用的低功耗非揮發(fā)性存儲器。在全球，Chingis 在計算、網(wǎng)絡、系統(tǒng)集成芯片 (SoC) 、微處理器、微控制器、電訊和植入式應用方面擁有的專利超過42個。其中 pFlash 和 pFusion 是 Chingis 科技公司的注冊商標。更多信息，敬請參閱 Chingis 公司網(wǎng) http://www.chingistek.com
