omniture

三星首批面向AI時代的QLC第九代V-NAND啟動量產(chǎn)

2024-09-12 07:00 2709

三星最新的QLC V-NAND綜合采用了多項突破性技術,其中通道孔蝕刻技術能基于雙堆棧架構實現(xiàn)最高單元層數(shù)
 
推出的三星首批QLC和TLC第九代V-NAND,為各種AI應用提供優(yōu)質(zhì)內(nèi)存解決方案

深圳2024年9月12日 /美通社/ -- 三星電子今日宣布,三星首款1太比特(Tb)四層單元(QLC)第九代V-NAND(V-NAND)已正式開始量產(chǎn)。

三星半導體1TB QLC第九代V-NAND
三星半導體1TB QLC第九代V-NAND

今年四月,三星啟動了其首批三層單元(TLC)第九代V-NAND的量產(chǎn),隨后又率先實現(xiàn)了QLC 第九代V-NAND的量產(chǎn),這進一步鞏固了三星在高容量、高性能NAND閃存市場中的地位。

“在距上次TLC版本量產(chǎn)僅四個月后,QLC第九代V-NAND產(chǎn)品成功啟動量產(chǎn),使我們能夠提供,能夠滿足人工智能時代需求的完整陣容的SSD解決方案?!比请娮訄?zhí)行副總裁兼閃存產(chǎn)品與技術負責人SungHoi Hur表示:“隨著企業(yè)級SSD市場呈現(xiàn)日益增長的趨勢,對人工智能應用的需求更加強勁,我們將通過QLC和TLC第九代V-NAND繼續(xù)鞏固三星在該領域的市場地位。”

三星計劃擴大QLC第九代V- NAND的應用范圍,從品牌消費類產(chǎn)品開始,擴展到移動通用閃存(UFS)、個人電腦和服務器SSD,為包括云服務提供商在內(nèi)的客戶提供服務。

三星半導體1TB QLC第九代V-NAND
三星半導體1TB QLC第九代V-NAND

三星QLC第九代V-NAND綜合運用多項創(chuàng)新成果,實現(xiàn)了多項技術突破。

  • 三星引以為傲的通道孔蝕刻技術(Channel Hole Etching),能夠基于雙堆棧架構實現(xiàn)當前業(yè)內(nèi)最高的單元層數(shù)。三星運用在TCL第九代V-NAND中積累的技術經(jīng)驗,優(yōu)化了存儲單元面積及外圍電路,位密度比上一代QLC V-NAND提升約86%。
  • 預設模具(Designed Mold)技術能夠調(diào)整控制存儲單元的字線(WL)間距,確保同一單元層內(nèi)和單元層之間的存儲單元的特性保持一致,達到最佳效果。V-NAND層數(shù)越多,存儲單元特性越重要。采用預設模具技術使得數(shù)據(jù)保存性能相比之前的版本提升約20%,增強了產(chǎn)品的可靠性。
  • 預測程序(Predictive Program)技術能夠預測并控制存儲單元的狀態(tài)變化,盡可能減少不必要的操作。這項技術進步讓三星QLC第九代V-NAND的寫入性能翻倍,數(shù)據(jù)輸入/輸出速度提升60%。
  • 低功耗設計(Low-Power Design)技術使得數(shù)據(jù)讀取功耗約分別下降了約30%和50%。這項技術降低了驅動NAND存儲單元所需的電壓,能夠僅感測必要的位線(BL),從而盡可能減少功耗。
消息來源:三星半導體
China-PRNewsire-300-300.png
全球TMT
微信公眾號“全球TMT”發(fā)布全球互聯(lián)網(wǎng)、科技、媒體、通訊企業(yè)的經(jīng)營動態(tài)、財報信息、企業(yè)并購消息。掃描二維碼,立即訂閱!
collection