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SK啟方半導(dǎo)體加大力度開發(fā)GaN新一代功率半導(dǎo)體

2024-06-19 08:00 11583

韓國首爾2024年6月19日 /美通社/ -- 韓國8英寸晶圓工廠SK啟方半導(dǎo)體(SK keyfoundry)今日宣布,已確保新一代功率半導(dǎo)體GaN(氮化鎵)的關(guān)鍵器件特性。公司正在加大GaN的開發(fā)力度,力爭在年內(nèi)完成開發(fā)工作。

SK啟方半導(dǎo)持續(xù)關(guān)注著GaN功率半導(dǎo)體的市和潛力。此,公司于2022年成立了一個(gè)專職團(tuán)隊(duì)來動(dòng)GaN工開發(fā)。日前,公司已得到650V GaN HEMT的新器件特性,并計(jì)劃在今年年底完成開發(fā)工作

由于650V GaN HEMT具有高的功率效率,因此硅基產(chǎn)品相比,可以降低散器的成本。也正因如此,硅基產(chǎn)品相比,端客統(tǒng)的價(jià)格差異較小。公司預(yù)計(jì),硅基650V產(chǎn)將為快速充適配器、LED照明、數(shù)據(jù)中心和ESS以及太能微型逆器等市的無晶圓廠戶帶來開發(fā)優(yōu)質(zhì)產(chǎn)品的優(yōu)勢。除了取新客外,SK方半導(dǎo)還計(jì)劃積極650V GaN HEMT技術(shù)趣的現(xiàn)有功率半導(dǎo)體工推廣術(shù)。

GaN具有高速開關(guān)、低導(dǎo)通電阻等特性,與硅基半導(dǎo)體相比,具備低耗、高效率和小型化的優(yōu)越特性,因此被稱為新一代功率半導(dǎo)體。據(jù)市場調(diào)研公司OMDIA預(yù)測,GaN功率半導(dǎo)體市場將以33%的復(fù)合年增長率增長,從2023年的5億美元增至2032年的64億美元,主要用于電源、混合動(dòng)力、電動(dòng)汽車以及太陽能逆變器。

SK方半導(dǎo)體表示,公司計(jì)劃650V GaN HEMT礎(chǔ),打造GaN產(chǎn)合,可GaN HEMT和GaN IC提供多種電壓支持。

SK啟方半導(dǎo)體首席執(zhí)行官Derek D. Lee表示:"除了具有競爭力的高壓BCD外,我們還在為下一代功率半導(dǎo)體做準(zhǔn)備。我們還將擴(kuò)大功率半導(dǎo)體產(chǎn)品組合,未來除GaN以外,還將開發(fā)SiC(碳化硅),以確立我們作為專業(yè)功率半導(dǎo)體代工廠的地位。"

消息來源:SK keyfoundry.
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