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SAIFUN 和中芯國(guó)際采用中芯先進(jìn)工藝技術(shù)合作生產(chǎn) 8GB 數(shù)據(jù)閃存

中芯國(guó)際集成電路制造有限公司
2006-11-23 08:17 2719

世界領(lǐng)先的集成電路代工廠中芯國(guó)際采用 SUNFUN 嵌入式 NROM 技術(shù)和設(shè)計(jì)生產(chǎn)先進(jìn)工

藝 8GB 閃存

以色列那塔亞11月23日電 /新華美通/ -- 中芯國(guó)際集成電路制造有限公司(紐約證

券交易所: SMI,香港聯(lián)合交易所:0981)世界領(lǐng)先的集成電路代工廠之一和 SAIFUN 半

導(dǎo)體,著名的非揮發(fā)性內(nèi)存 (NVM) 技術(shù)提供商,今日共同宣布將采用中芯先進(jìn)工藝技術(shù)

合作生產(chǎn) 8GB 數(shù)據(jù)閃存。這一基于 SUNFUN 嵌入式 NROM 技術(shù)和設(shè)計(jì)而成的獨(dú)特產(chǎn)品,

將有望于2008年進(jìn)入市場(chǎng)。

(Logo: http://m.qyysmy.cn/sa/200611101605.jpg )

SAIFUN 嵌入式 NROM 每基本存儲(chǔ)單元四位元技術(shù)突破現(xiàn)有的非揮發(fā)性內(nèi)存技術(shù),比

常規(guī)存儲(chǔ)器容量增加一倍,結(jié)構(gòu)卻更為簡(jiǎn)單,從而需要更少的制造步驟,降低了生產(chǎn)成

本。采用中芯先進(jìn)工藝的 8GB 數(shù)據(jù)閃存的發(fā)展體現(xiàn)了嵌入式 NROM 的優(yōu)勢(shì),使最具成本

效益的閃存制造得以實(shí)現(xiàn)。它將使中芯憑借非??煽亢透咝阅艿漠a(chǎn)品進(jìn)入極具挑戰(zhàn)的閃存

市場(chǎng)。

中芯旨在提供一個(gè)全面閃存產(chǎn)品,從而進(jìn)軍中國(guó)乃至全球新興電子消費(fèi)市場(chǎng)。其現(xiàn)已

基于 SAIFUN 嵌入式 NROM 每基本存儲(chǔ)單元二位元技術(shù)產(chǎn)出第一批 2GB NAND 閃存產(chǎn)品的

工程樣本,計(jì)劃于2006年底開始量產(chǎn)。

“我們很高興能進(jìn)一步與中芯國(guó)際合作,使先進(jìn)的閃存產(chǎn)品推向市場(chǎng)”,SAIFUN

半導(dǎo)體公司董事長(zhǎng)兼首席執(zhí)行官 Kobi Rozengarten 先生表示,“我們相信,中芯的創(chuàng)新

與努力,結(jié)合 SAIFUN 的獨(dú)特 NROM 技術(shù),將使兩家公司成為利潤(rùn)可觀的數(shù)據(jù)市場(chǎng)的佼佼

者?!?/p>

“我們很高興能與 SAIFUN 進(jìn)一步拓展我們的伙伴關(guān)系,進(jìn)入更先進(jìn)的閃存技術(shù)。這

再次證明了我們提升閃存產(chǎn)品的共同承諾,”中芯國(guó)際總裁兼首席執(zhí)行官?gòu)埲昃┎┦勘?/p>

示,“我們相信,憑借 SAIFUN 的前沿技術(shù)開發(fā)和中芯可靠先進(jìn)的制造能力,將進(jìn)一步加

強(qiáng)我們?cè)陂W存市場(chǎng)的地位。”

中芯國(guó)際簡(jiǎn)介

中芯國(guó)際(紐約證券交易所:SMI,香港聯(lián)合交易所:0981)總部位于上海,是世界領(lǐng)

先的集成電路芯片代工公司之一,也是中國(guó)內(nèi)地較大及先進(jìn)的芯片代工公司。向全世界

客戶提供0.35微米到90納米及更先進(jìn)工藝的芯片制造服務(wù)。公司在上海營(yíng)運(yùn)三座8英寸芯

片廠,在天津營(yíng)運(yùn)一座8英寸芯片廠,并在北京營(yíng)運(yùn)一座12英寸芯片廠,此為中國(guó)內(nèi)地第

一座正式營(yíng)運(yùn)之12英寸芯片廠。此外,中芯國(guó)際還在美國(guó)、意大利、日本提供客戶服務(wù)和

設(shè)立銷售辦事處,同時(shí)在香港設(shè)立了代表處。敬請(qǐng)?jiān)L問公司網(wǎng)站:

http://www.smics.com 。

SAIFUN 簡(jiǎn)介

SAIFUN 是一家為非揮發(fā)性內(nèi)存技術(shù) (NVM) 市場(chǎng)提供智能產(chǎn)權(quán) (IP) 解決方案的供貨

商。該公司獨(dú)創(chuàng)的 Saifun NROM(R) 技術(shù) 支持半導(dǎo)體制造者付運(yùn)其具有高性能和可靠的

產(chǎn)品而每百萬單位只需相對(duì)較低的成本,隨著更大的產(chǎn)能儲(chǔ)備,為所有非揮發(fā)性內(nèi)存技

術(shù) (NVM) 的應(yīng)用而使用單一流程。SAIFUN 向半導(dǎo)體制造者授權(quán)其智能產(chǎn)權(quán) (IP) 使用這

一技術(shù)來發(fā)展并制造各類獨(dú)一的內(nèi)植非揮發(fā)性內(nèi)存技術(shù) (NVM) 產(chǎn)品。其中包括通訊、消

費(fèi)電子、網(wǎng)絡(luò)和汽車類產(chǎn)品中使用的閃存。擁有 SAIFUN 特許的廠商包括英飛凌、

Macronix、索尼公司、Spansion 和 Tower 半導(dǎo)體。

就1995年私人有價(jià)證券訴訟改革法案作出的“安全港”提示聲明

本新聞發(fā)報(bào)之內(nèi)容,如有關(guān) SMIC 與 Saifun 進(jìn)一步的合作等內(nèi)容,可能載有前瞻性

陳述之字眼。(除歷史資料外)或含有依據(jù) U.S. Securities Act 1933(已修訂)第

27A 條文及 U.S. Securities Exchange Act 1934(已修訂)第 21E 條文所界定的“前

瞻性陳述”。該等前瞻性陳述存在重大已知及未知風(fēng)險(xiǎn)、不確定性,以及其它可能導(dǎo)致中

心實(shí)際業(yè)績(jī)、財(cái)政狀況或經(jīng)營(yíng)結(jié)果與前瞻性陳述所載資料存在重大差異的因素。有關(guān)該等

風(fēng)險(xiǎn)、不確定性,以及其它因素之進(jìn)一步資料已包括在中芯于二零零五年六月二十八日提

交與美國(guó)證券交易所之 20-F 年報(bào)及其它中芯需不時(shí)提交與美國(guó)證券交易所或香港聯(lián)合交

易所有限公司之文件內(nèi)。

消息來源:中芯國(guó)際集成電路制造有限公司
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