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中芯國際和 Virage Logic 拓展伙伴關(guān)系至65納米低漏電工藝

2010-05-24 14:21 7385

-- SiWare(TM) Memory, SiWare(TM) Logic, SiPro(TM) MIPI and Intelli(TM) DDR 伙伴關(guān)系將中芯65納米低漏電工藝至臻完善

美國加利福尼亞州弗里蒙特和中國上海2010年5月24日電 /美通社亞洲/ -- 備受半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)信賴的 IP 供應(yīng)商 Virage Logic 公司 (NASDAQ:VIRL) 和中國先進的半導(dǎo)體制造商中芯國際集成電路有限公司(中芯國際,紐約證券交易所交易代碼:SMI,香港聯(lián)交所交易代碼:0981.HK)今天宣布其長期合作伙伴關(guān)系擴展到包括65納米(nanometer)的低漏電(low-leakage)工藝技術(shù)。根據(jù)協(xié)議條款,系統(tǒng)級芯片(SoC)設(shè)計人員將能夠使用 Virage Logic 開發(fā)的,基于中芯國際65納米低漏電工藝的 SiWare(TM) 存儲器編譯器,SiWare(TM) 邏輯庫,SiPro(TM) MIPI 硅知識產(chǎn)權(quán) (IP) 和 Intelli(TM) DDR IP。這一聯(lián)合協(xié)議是 Virage Logic 與業(yè)界領(lǐng)先的代工廠業(yè)務(wù)擴展戰(zhàn)略的一個組成部分,也是中芯國際承諾為其客戶提供一個完整的 IP 解決方案的兌現(xiàn)。

(Logo: http://m.qyysmy.cn/sa/200611101605.jpg )

“作為中國首屈一指的代工廠,我們與 Virage Logic 公司拓展合作伙伴關(guān)系將使中芯國際能夠提供更多業(yè)界領(lǐng)先的65納米低漏電工藝的半導(dǎo)體 IP,這不僅能滿足來自中國本地的系統(tǒng)級芯片開發(fā)人員的需要,亦將助益我們開發(fā)全球半導(dǎo)體市場?!敝行緡H資深副總裁兼首席商務(wù)官季克非表示?!澳壳拔覀円呀?jīng)有一些客戶正積極利用中芯國際的65納米低漏電工藝及 Virage Logic 公司相關(guān) IP 進行芯片項目的開發(fā)。我們期待持續(xù)發(fā)展與 Virage Logic 的合作關(guān)系,不斷滿足日益增長的市場需求?!?/p>

“我們很高興能夠在65納米低漏電工藝方面擴大與中芯國際的伙伴關(guān)系。Virage Logic 開發(fā)的業(yè)界領(lǐng)先的 IP 產(chǎn)品將能夠讓更多的客戶選擇中芯國際作為他們65納米制造的主要供應(yīng)商,” Virage Logic 公司市場和銷售執(zhí)行副總裁 Brani Buric 表示?!白鳛榇S贊助的 IP 產(chǎn)品計劃之一,我們的 SiWare(TM) 存儲器編譯器和 SiWare(TM) 邏輯庫將免費提供給終端用戶使用,中芯國際對此充分肯定其戰(zhàn)略意義。除此之外我們的 SiPro(TM) MIPI 和 Intelli(TM) DDR 標(biāo)準(zhǔn)高速接口 IP 也為用戶提供了一個經(jīng)驗證的解決方案,使得各地的設(shè)計師都能在他們的65納米低漏電設(shè)計中選擇世界一流的 IP。”

關(guān)于 Virage Logic的SiPro(TM) MIPI IP

SiPro MIPI DSI(顯示串行接口),CSI(攝像頭串行接口)控制器以及物理層 D-PHY,在保證良率的同時,提供性能、面積、功耗的優(yōu)化方案。SiPro 為移動設(shè)備攝像頭和顯示接口提供無縫連接方案,并已通過系統(tǒng)級驗證。該 IP 方案被大量應(yīng)用于移動 SoC,已在65低電壓工藝經(jīng)過產(chǎn)品驗證,并可用于40低電壓工藝。

關(guān)于 Virage Logic 的 Intelli(TM) DDR 接口 IP 解決方案

Intelli DDR 存儲器接口產(chǎn)品擁有為 DDR1,DDR2,DDR3提供較好性能,較低觸發(fā)時間的智能存儲器控制器;較低功耗,較大帶寬的移動 SDR,移動 DDR,低功耗 DDR(LPDDR) 以及 LPDDR2存儲控制器;并為 DRAM 提供高速、全數(shù)字 DDR SDRAM PHY+DLL 方案以及先進的高可配置型 DDR IO。與模擬方案相比,全數(shù)字的 Intelli PHY+DLL 方案最多可節(jié)省25%的功耗,并縮小多達20%的面積,為高性能、低功耗應(yīng)用提供優(yōu)化的硬核方案。

關(guān)于 Virage Logic 的 SiWare(TM) 存儲器和 SiWare(TM) 邏輯產(chǎn)品

于2007年10月首次推出的65nm Siware 產(chǎn)品線,可滿足先進工藝物理 IP 日益復(fù)雜的設(shè)計要求,目前在40nm 工藝已有超過40家客戶。該產(chǎn)品線能針對先進工藝,提供優(yōu)化的功耗方案,較大程度降低靜態(tài)功耗和動態(tài)功耗。Siware 高密度存儲編譯器能產(chǎn)生最小面積的存儲器。Siware 高速存儲編譯器能幫助設(shè)計者解決最具挑戰(zhàn)的關(guān)鍵路徑要求。工藝極限變量的編譯時間選擇,省電模式,讀寫余量的擴展,超低工作電壓,創(chuàng)新的 at-speed 測試,能幫助 SOC 設(shè)計者配置出最優(yōu)化方案。

所有 SiWare 存儲器皆完全支持 Virage Logic 公司的 STAR 存儲系統(tǒng)。STAR 存儲系統(tǒng)為該公司的旗艦嵌入式存儲測試和修復(fù)系統(tǒng),可并用于 Virage 邏輯存儲以及內(nèi)部開發(fā)或者其他商業(yè)用途。為便利修復(fù),該 STAR 存儲系統(tǒng)使用代工廠開發(fā)的存儲 eFUSE 以用于修復(fù)署名紀(jì)錄的存儲。STAR 存儲系統(tǒng)采用專為先進工藝量身定制的測試算法,以提高產(chǎn)品可靠性及加速產(chǎn)品的高良率周期。

SiWare 邏輯產(chǎn)品線針對高性能,高密度需求,特別量身定制高性能,高密度標(biāo)準(zhǔn)單元庫。該單元庫包含超過1,100個基礎(chǔ)單元,提供多通道配置以及不同的極限變量,能快速達到時序終止,同時不影響面積和功耗。

Virage Logic 的邏輯庫通過對更嚴(yán)格的設(shè)計規(guī)則、更高的可制造性以及更好的電遷移可靠性標(biāo)準(zhǔn)的不斷追求而達到良率的較大化。通過統(tǒng)一均衡的版圖設(shè)計,使用非最小化尺寸器件使得局部的變化達到最小,并且其特性可被代工廠相應(yīng)的抽取環(huán)境所精確反映。比如,能夠反映出阱鄰近效應(yīng),相鄰電路擴散間距等 DFM 效應(yīng)。

供應(yīng)情況

Virage Logic的SiWare(TM) 存儲器和 SiWare(TM) 邏輯產(chǎn)品將在2010年第三季度上市。在代工廠 IP 贊助方案的支持下,Virage Logic 將直接授權(quán)給代工廠的終端客戶使用。

Virage Logic 的 SiPro(TM) MIPI 和 Intelli(TM) DDR 接口 IP 將在2010年第三季度初上市。

關(guān)于 Virage Logic

Virage Logic 是一家為復(fù)雜電路設(shè)計提供半導(dǎo)體硅知識產(chǎn)權(quán)(IP)的領(lǐng)先供應(yīng)商。該公司擁有高度差異化的產(chǎn)品組合,包括處理器解決方案、接口 IP 解決方案、嵌入式 SRAM 和 NVM、嵌入式測試和良率優(yōu)化解決方案、邏輯庫及存儲器開發(fā)軟件。Virage Logic 是備受半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)信賴的 IP 合作伙伴,有超過400家晶圓代工廠、IDM 和無廠 IC 客戶采用其方案以達到更高性能、更低功耗、更高密度、更優(yōu)化良率,縮短客戶的產(chǎn)品上市時間以及量產(chǎn)時間。欲得知更多信息,請瀏覽 http://www.viragelogic.com 。

關(guān)于中芯國際

中芯國際集成電路制造有限公司(“中芯國際”,紐約證交所股票代碼:SMI,香港聯(lián)合交易所股票代碼:981),是世界領(lǐng)先的集成電路芯片代工企業(yè)之一,也是中國內(nèi)地規(guī)模較大、技術(shù)先進的集成電路芯片代工企業(yè)。中芯國際向全球客戶提供0.35微米到45納米芯片代工與技術(shù)服務(wù)。中芯國際總部位于上海,在上海建有一座300mm 芯片廠和三座200mm 芯片廠。在北京建有兩座300mm 芯片廠,在天津建有一座200mm 芯片廠,在深圳有一座200mm 芯片廠在興建中,在成都擁有一座封裝測試廠。中芯國際還在美國、歐洲、日本提供客戶服務(wù)和設(shè)立營銷辦事處,同時在香港設(shè)立了代表處。此外,中芯代成都成芯半導(dǎo)體制造有限公司經(jīng)營管理一座200mm 芯片廠,也代武漢新芯集成電路制造有限公司經(jīng)營管理一座300mm 芯片廠。詳細信息請參考中芯國際網(wǎng)站 http://www.smics.com

安全港聲明(根據(jù)1995私人有價證券訴訟改革法案)

本次新聞發(fā)布可能載有(除歷史資料外)依據(jù)1995美國私人有價證券訴訟改革法案的“安全港”條文所界定的“前瞻性陳述”。該等前瞻性陳述乃根據(jù)中芯對未來事件的現(xiàn)行假設(shè)、期望及預(yù)測而作出。中芯使用“相信”、“預(yù)期”、“打算”、“估計”、“期望”、“預(yù)測”或類似的用語來標(biāo)識前瞻性陳述,盡管并非所有前瞻性聲明都包含這些用語。這些前瞻性聲明涉及可能導(dǎo)致中芯實際表現(xiàn)、財務(wù)狀況和經(jīng)營業(yè)績與這些前瞻性聲明所表明的意見產(chǎn)生重大差異的已知和未知的重大風(fēng)險、不確定因素和其他因素,其中包括當(dāng)前全球金融危機的相關(guān)風(fēng)險、未決訴訟的頒令或判決,和終端市場的財政穩(wěn)定。

投資者應(yīng)考慮中芯呈交予美國證券交易委員會(“證交會”)的文件資料 ,包括其于二零零九年六月二十二日以20-F 表格形式呈交給證交會的年報,特別是在“風(fēng)險因素”和 “管理層對財務(wù)狀況和經(jīng)營業(yè)績的討論與分析”部分,并中芯不時向證交會(包括以6-K 表格形式),或聯(lián)交所呈交的其他文件。其它未知或不可預(yù)測的因素也可能對中芯的未來結(jié)果,業(yè)績或成就產(chǎn)生重大不利影響。鑒于這些風(fēng)險,不確定性,假設(shè)及因素,本次新聞發(fā)布中討論的前瞻性事件可能不會發(fā)生。請閣下審慎不要過分依賴這些前瞻性聲明,因其只于聲明當(dāng)日有效,如果沒有標(biāo)明聲明的日期,就截至本新聞發(fā)布之日。除法律有所規(guī)定以外,中芯概不負責(zé)因新資料、未來事件或其他原因引起的任何情況,亦不擬,更新任何前瞻性陳述。

上述所有商標(biāo)為所有者的個別財產(chǎn)并于此受到保護。

消息來源:中芯國際
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