北京2009年8月3日電 /美通社亞洲/ -- Strategy Analytics 發(fā)布最新年度預(yù)測(cè)報(bào)告“半絕緣砷化鎵 (SI GaAs) 外延襯底市場(chǎng)預(yù)測(cè)2008-2013”。報(bào)告總結(jié)，2008年半絕緣砷化鎵(SI GaAs)外延襯底市場(chǎng)年增長(zhǎng)率達(dá)到22%，但 Strategy Analytics 預(yù)計(jì)2009年該市場(chǎng)將持平或轉(zhuǎn)負(fù)增長(zhǎng)。借助下一代蜂窩手機(jī)平臺(tái)上嵌入多砷化鎵(GaAs)器件，以及來(lái)自其它市場(chǎng)對(duì)砷化鎵 (GaAs) 器件的需求，半絕緣砷化鎵 (SI GaAs) 外延襯底市場(chǎng)在2010年將恢復(fù)增長(zhǎng)。
一直以來(lái)，供應(yīng)商都聚焦在提供 HBT (Heterojunction Bipolar Transistor)，HEMT (High Electron Mobility Transistor) 和 FET (Field Effect Transistor)的外延襯底結(jié)構(gòu)，而目前市場(chǎng)更關(guān)注的是多結(jié)構(gòu)組合在一個(gè)襯底上的解決方案，以提供 BiFET (Bipolar Field Effect Transistor) 或 BiHEMT (Bipolar High Electron Mobility Transistor)器件。
Strategy Analytics 的 GaAs 和化合物半導(dǎo)體技術(shù)市場(chǎng)研究部主管 Asif Anwar 表示：“Strategy Analytics 預(yù)期，BiFET / BiHEMT 結(jié)構(gòu)的襯底在2008年占所有半絕緣砷化鎵 (SI GaAs) 外延襯底市場(chǎng)的6%。雖然市場(chǎng)份額還很小，但是由于砷化鎵器件制造商希望通過(guò)集成解決方案以提供差異化的產(chǎn)品，這一細(xì)分市場(chǎng)從現(xiàn)在到2013年期間將以較快速增長(zhǎng)。”
本報(bào)告研究供應(yīng)鏈動(dòng)態(tài)，并對(duì)半絕緣砷化鎵(SI GaAs) 外延襯底的最終需求驅(qū)動(dòng)因素進(jìn)行了大量的分析。到2013年的市場(chǎng)前景預(yù)測(cè)結(jié)果顯示，2008至2013期間，外延襯底市場(chǎng)的復(fù)合年增長(zhǎng)率為5%。相應(yīng)地，砷化鎵 MOCVD (Metal Organic Chemical Vapor Deposition) 和 MBE (Molecular Beam Epitaxy)襯底市場(chǎng)規(guī)模在2013年將超過(guò)4億美元。
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