“英特爾精尖制造日”解讀全球晶體管密度較高的制程工藝

北京2017年9月19日電 /美通社/ -- “英特爾精尖制造日”活動(dòng)今天舉行，展示了英特爾制程工藝的多項(xiàng)重要進(jìn)展，包括：英特爾10納米制程功耗和性能的最新細(xì)節(jié)，英特爾首款10納米FPGA的計(jì)劃，并宣布了業(yè)內(nèi)首款面向數(shù)據(jù)中心應(yīng)用的64層3D NAND產(chǎn)品已實(shí)現(xiàn)商用并出貨。

“英特爾遵循摩爾定律，持續(xù)向前推進(jìn)制程工藝，每一代都會(huì)帶來更強(qiáng)的功能和性能、更高的能效、更低的晶體管成本，”英特爾公司執(zhí)行副總裁兼制造、運(yùn)營與銷售集團(tuán)總裁Stacy Smith表示，“很高興首次在中國與大家分享英特爾制程工藝路線圖中的多項(xiàng)重要進(jìn)展，展現(xiàn)了我們持續(xù)推動(dòng)摩爾定律向前發(fā)展所獲得的豐碩成果?！?/p>

英特爾公司全球副總裁兼中國區(qū)總裁楊旭歡迎來自合作伙伴、客戶、政府部門和學(xué)術(shù)界的嘉賓以及新聞媒體出席2017年9月19日在北京舉行的“英特爾精尖制造日”活動(dòng)。此次活動(dòng)著眼于快速發(fā)展的中國技術(shù)生態(tài)系統(tǒng)，重申英特爾與中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)共成長的承諾。英特爾在中國深耕32年，打造了世界級(jí)的晶圓制造和封裝測試工廠，自2004年以來在華協(xié)議總投入達(dá)130億美元。

Stacy Smith進(jìn)一步表示，英特爾推動(dòng)摩爾定律向前發(fā)展的能力 -- 每一年都持續(xù)降低產(chǎn)品價(jià)格并提升其性能 -- 是英特爾的核心競爭優(yōu)勢。英特爾一直以來都是并將繼續(xù)成為推動(dòng)摩爾定律向前發(fā)展的技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)者，目前英特爾在制程工藝上保持著大約三年的領(lǐng)先性。

英特爾公司執(zhí)行副總裁兼制造、運(yùn)營與銷售集團(tuán)總裁Stacy Smith全球首次展示“Cannon Lake”10納米晶圓，采用超微縮技術(shù)，擁有世界上最密集的晶體管和較小的金屬間距，從而實(shí)現(xiàn)了業(yè)內(nèi)較高的晶體管密度。

披露10納米制程的功耗和性能最新進(jìn)展

英特爾高級(jí)院士馬博（Mark Bohr）介紹了英特爾10納米制程工藝的最新細(xì)節(jié)，展現(xiàn)了英特爾的技術(shù)領(lǐng)先性。在晶體管密度和晶體管性能方面，英特爾10納米均領(lǐng)先其他競爭友商“10納米”整整一代。通過采用超微縮技術(shù)（hyper scaling），英特爾10納米制程工藝擁有世界上最密集的晶體管和較小的金屬間距，從而實(shí)現(xiàn)了業(yè)內(nèi)較高的晶體管密度。超微縮指的是英特爾在14納米和10納米制程節(jié)點(diǎn)上提升2.7倍晶體管密度的技術(shù)。在此次“英特爾精尖制造日”活動(dòng)上，英特爾“Cannon Lake”10納米晶圓全球首次公開亮相。

馬博還演示了他提出的晶體管密度計(jì)算公式，用以規(guī)范晶體管密度的通用衡量標(biāo)準(zhǔn)，以此厘清當(dāng)前業(yè)內(nèi)制程節(jié)點(diǎn)命名亂象，這也是英特爾不懈的堅(jiān)持和努力，將有助于更加容易地比較不同廠商之間的技術(shù)。

介紹22FFL的功耗和性能最新進(jìn)展

馬博同時(shí)介紹了英特爾22FFL功耗和性能的最新細(xì)節(jié)。22FFL是在2017年3月美國“英特爾精尖制造日”活動(dòng)上首次宣布的一種面向移動(dòng)應(yīng)用的超低功耗FinFET技術(shù)。英特爾22FFL可帶來一流的CPU性能，實(shí)現(xiàn)超過2GHz的主頻以及漏電降低100倍以上的超低功耗。此外，22FFL晶圓在本次活動(dòng)上全球首次公開亮相。

揭曉10納米FPGA產(chǎn)品計(jì)劃 

在本次活動(dòng)上，英特爾公布了采用英特爾10納米制程工藝和晶圓代工平臺(tái)的下一代FPGA計(jì)劃。研發(fā)代號(hào)為“Falcon Mesa”的FPGA產(chǎn)品將帶來全新水平的性能，以支持?jǐn)?shù)據(jù)中心、企業(yè)級(jí)和網(wǎng)絡(luò)環(huán)境中日益增長的帶寬需求。

英特爾和Arm在10納米制程合作方面取得重大進(jìn)展

在2016年8月于舊金山舉行的英特爾信息技術(shù)峰會(huì)（IDF）上，英特爾晶圓代工宣布與Arm達(dá)成協(xié)議，雙方將加速基于英特爾10納米制程的Arm系統(tǒng)芯片開發(fā)和應(yīng)用。作為這一合作的結(jié)晶，今天的“英特爾精尖制造日”全球首次展示了Arm Cortex-A75 CPU內(nèi)核的10納米測試芯片晶圓。這款芯片采用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)設(shè)計(jì)流程，可實(shí)現(xiàn)超過3GHz的性能。

發(fā)布業(yè)內(nèi)首款面向數(shù)據(jù)中心的64層TLC 3D NAND固態(tài)盤

英特爾還宣布了業(yè)內(nèi)首款面向數(shù)據(jù)中心的64層、三級(jí)單元（TLC）3D NAND固態(tài)盤產(chǎn)品已正式出貨。該產(chǎn)品自2017年8月初便開始向部分頂級(jí)云服務(wù)提供商發(fā)貨，旨在幫助客戶大幅提升存儲(chǔ)效率。在存儲(chǔ)領(lǐng)域30年的專業(yè)積淀，使得英特爾可以推出優(yōu)化的3D NAND浮柵架構(gòu)和制造工藝。英特爾的制程領(lǐng)先性，使其能夠快速把2017年6月推出的64層TLC固態(tài)盤產(chǎn)品組合，迅速從客戶端產(chǎn)品擴(kuò)展到今天的數(shù)據(jù)中心固態(tài)盤產(chǎn)品。到2017年年底，該產(chǎn)品將在更大范圍內(nèi)上市。