ARM與中芯國際針對(duì)移動(dòng)與消費(fèi)應(yīng)用擴(kuò)展28納米制程工藝IP合作
為高性能系統(tǒng)級(jí)芯片設(shè)計(jì)提供創(chuàng)新IP支持
上海2014年2月9日電 /美通社/ -- ARM與中國內(nèi)地規(guī)模較大、技術(shù)先進(jìn)的集成電路晶圓代工企業(yè)中芯國際（紐約交易所：SMI；香港聯(lián)交所：981）今日共同宣布，雙方針對(duì)ARM® Artisan® 物理IP簽訂合作協(xié)議，為中芯國際的28納米poly SiON（PS）制程工藝提供高性能、高密度、低功耗的系統(tǒng)級(jí)芯片（SoC）設(shè)計(jì)支持。
基于這項(xiàng)合作，中芯國際與ARM將為廣大的消費(fèi)應(yīng)用提供全面的物理IP平臺(tái)與先進(jìn)制程工藝技術(shù)。這些應(yīng)用均針對(duì)快速成長的智能手機(jī)、平板電腦、無線設(shè)備、以及智能家居等市場。
中芯國際設(shè)計(jì)服務(wù)中心資深副總裁湯天申博士表示：“我們對(duì)于能夠支持ARM Artisan標(biāo)準(zhǔn)單元與新一代內(nèi)存編譯器，感到十分高興。這次與ARM的進(jìn)一步合作將有助于我們的客戶在成本與功耗上實(shí)現(xiàn)更優(yōu)異的SoC設(shè)計(jì)。”
ARM執(zhí)行副總裁兼物理設(shè)計(jì)部門總經(jīng)理Dipesh Patel博士表示：“ARM Artisan標(biāo)準(zhǔn)單元與內(nèi)存編譯器可為客戶提供高質(zhì)量與符合硅標(biāo)準(zhǔn)的設(shè)計(jì)產(chǎn)品，完全滿足客戶在縮短上市時(shí)間的要求。通過與中芯國際加深在28納米 PS工藝上的合作，ARM再次踐行了我們的一貫承諾—與業(yè)界領(lǐng)先的晶圓代工企業(yè)強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)手，為客戶提供較佳的SoC設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)?！?/p>
ARM物理IP平臺(tái)
針對(duì)中芯國際28納米poly SiON（PS）制程工藝的ARM Artisan物理IP平臺(tái)，為實(shí)現(xiàn)廣泛的性能范圍及經(jīng)過面積優(yōu)化的低功耗SoC設(shè)計(jì)提供了基礎(chǔ)構(gòu)件。同時(shí)，ARM經(jīng)過硅驗(yàn)證的IP平臺(tái)提供了全面的整套內(nèi)存編譯器、標(biāo)準(zhǔn)單元與邏輯IP以及通用型的接口產(chǎn)品，以應(yīng)對(duì)大部分移動(dòng)通信與計(jì)算對(duì)性能與功耗的需求。
通過ARM標(biāo)準(zhǔn)單元庫及內(nèi)存編譯器，配合多溝道及混合閾值電壓（Vt）特性，用戶不僅能夠利用到中芯國際poly SiON尖端制程工藝的性能與功耗范圍，還將獲得更廣泛的性能與功率譜。這些特性確保了在重視性能的SoC設(shè)計(jì)的同時(shí)，也能滿足功耗需求。
