采用最新一代工藝,提高了電源效率
日本川崎, 2022年4月1日 /美通社/-- 東芝電子元件及存儲裝置株式會社(Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation,簡稱“東芝”)推出了150V N溝道功率MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管)“TPH9R00CQH”( https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/semiconductor/product/mosfets/12v-300v-mosfets/detail.TPH9R00CQH.html )。該產(chǎn)品采用最新一代(*1)工藝“U-MOSX-H”,適用于工業(yè)設備的開關電源,包括部署在數(shù)據(jù)中心和通信基站的設備。3月31日開始出貨。
圖片:https://kyodonewsprwire.jp/prwfile/release/M107097/202203249042/_prw_PI1fl_As0mw3xi.jpg
TPH9R00CQH的漏極-源極導通電阻比TPH1500CNH低大約42%,后者是一款采用了當前U-MOSVIII-H工藝的150V產(chǎn)品。新款MOSFET結構的優(yōu)化改善了漏極-源極導通電阻之間的權衡(*2)和兩個電荷特性(*3),實現(xiàn)了優(yōu)異的低損耗特點。此外,開關操作時漏極和源極之間的峰值電壓也有所降低,有助于降低開關電源的電磁干擾(EMI)。有兩種類型的表面貼裝封裝可供選擇,分別為:SOP Advance和SOP Advance (N),后一種更受歡迎。
東芝還提供支持開關電源電路設計的工具。除了可以在短時間內驗證電路功能的G0 SPICE型號外,現(xiàn)在還推出了高精度的G2 SPICE型號,可以準確地再現(xiàn)瞬態(tài)特性。
東芝將擴大其功率MOSFET產(chǎn)品陣容,通過減少損耗來提高設備的供電效率,幫助降低功耗。
注:
(*1) 截至2022年3月的東芝調查。
(*2) 與目前的產(chǎn)品TPH1500CNH(U-MOSVIII-H系列)相比,該產(chǎn)品的漏源極導通電阻x柵極開關電荷提高了大約20%,漏源極導通電阻x輸出電荷提高了大約28%。
(*3) 柵極開關電荷和輸出電荷
應用領域
特點
主要規(guī)格:
https://kyodonewsprwire.jp/attach/202203249042-O1-spr94552.pdf
點擊以下鏈接,了解更多關于新產(chǎn)品TPH9R00CQH的信息:
https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/semiconductor/product/mosfets/12v-300v-mosfets/detail.TPH9R00CQH.html
點擊以下鏈接,了解更多關于東芝MOSFET的信息:
https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/semiconductor/product/mosfets.html
點擊以下鏈接,了解更多關于高精度SPICE型號(G2型號)的信息:
https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/semiconductor/knowledge/highlighted-contents/articles/simulating-the-transient-characteristics-of-mosfet-more-accurately.html
欲了解在線分銷商的新產(chǎn)品TPH9R00CQH的供應情況,請在以下鏈接在線購買:
https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/semiconductor/where-to-buy/stockcheck.TPH9R00CQH.html
注:
* 公司名稱、產(chǎn)品名稱和服務名稱可能是其各自公司的商標。
* 本文所載信息,包括產(chǎn)品價格和規(guī)格、服務內容和聯(lián)系信息,均為本公告發(fā)布之日的最新信息,但如有變化,恕不另行通知。