北京2021年11月12日 /美通社/ -- 宜普電源轉(zhuǎn)換公司（EPC）是增強(qiáng)型硅基氮化鎵（eGaN®）功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管和集成電路的全球行業(yè)領(lǐng)先供應(yīng)商，其eToF?激光驅(qū)動(dòng)器集成電路（EPC21601）在2021全球電子成就獎(jiǎng)（WEAA）評(píng)選中，榮獲年度功率半導(dǎo)體/驅(qū)動(dòng)器大獎(jiǎng)。
全球電子成就獎(jiǎng)旨在評(píng)選并表彰對(duì)推動(dòng)全球電子產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新做出杰出貢獻(xiàn)的企業(yè)和管理者，以及在業(yè)界處于領(lǐng)先地位的產(chǎn)品。由ASPENCORE全球資深產(chǎn)業(yè)分析師組成的評(píng)審委員會(huì)和全球網(wǎng)站用戶群進(jìn)行綜合評(píng)定，共同評(píng)選出得獎(jiǎng)?wù)?。ASPENCORE主辦的全球高科技領(lǐng)袖論壇-全球CEO峰會(huì)和全球電子成就獎(jiǎng)?lì)C獎(jiǎng)典禮在2021年11月3日于深圳舉行。
宜普電源轉(zhuǎn)換公司首席執(zhí)行官兼共同創(chuàng)辦人Alex Lidow博士說(shuō)：“我謹(jǐn)代表EPC團(tuán)隊(duì)感謝ASPENCORE團(tuán)隊(duì)和所有投票者，支持eToF激光驅(qū)動(dòng)器IC（EPC21601）以獲得享有盛譽(yù)的全球電子成就獎(jiǎng)。我們的氮化鎵IC技術(shù)的最新發(fā)展針對(duì)改變飛行時(shí)間激光雷達(dá)系統(tǒng)的設(shè)計(jì)方式，在單個(gè)芯片上集成氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管（eGaN®FET）和驅(qū)動(dòng)器,可實(shí)現(xiàn)功能強(qiáng)大、速度超快的集成電路，從而實(shí)現(xiàn)尺寸更小、成本更低的飛行時(shí)間（ToF）激光雷達(dá)系統(tǒng)以在消費(fèi)類(lèi)應(yīng)用中，更普遍被采用。”
eToF?激光驅(qū)動(dòng)器集成電路（EPC21601）在單個(gè)芯片上集成了40 V、10 A 場(chǎng)效應(yīng)晶體管、柵極驅(qū)動(dòng)器和3.3 V邏輯電平輸入，針對(duì)飛行時(shí)間（ToF）激光雷達(dá)系統(tǒng)，用于機(jī)器人、監(jiān)控保安系統(tǒng)、無(wú)人機(jī)、全自動(dòng)駕駛汽車(chē)和吸塵器。
EPC21601集成電路能夠在超過(guò)100 MHz的超高頻率和低于2 ns的超短脈沖下，調(diào)制并實(shí)現(xiàn)高達(dá)10 A的激光驅(qū)動(dòng)電流。開(kāi)啟和斷開(kāi)時(shí)間分別為410 ps和320 ps。
EPC21601集成了基于EPC專(zhuān)有的氮化鎵IC技術(shù)的單芯片驅(qū)動(dòng)器和氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管，采用芯片級(jí)BGA封裝，其外形尺寸僅為1.5 mm x 1.0 mm。由于外形小巧且集成了多個(gè)功能，因此與采用等效多芯片分立器件的解決方案相比，其占板面積小36％。
宜普電源轉(zhuǎn)換公司是基于增強(qiáng)型氮化鎵（eGaN®）的功率管理器件的領(lǐng)先供應(yīng)商，其氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管及集成電路的性能比最好的硅功率MOSFET器件高出很多倍，目標(biāo)應(yīng)用包括直流- 直流轉(zhuǎn)換器、激光雷達(dá)（LiDAR）、用于電動(dòng)運(yùn)輸、機(jī)器人和無(wú)人機(jī)的電機(jī)驅(qū)動(dòng)器，以及低成本衛(wèi)星等應(yīng)用。此外，宜普電源轉(zhuǎn)換公司繼續(xù)擴(kuò)大基于eGaN IC的產(chǎn)品系列，為客戶提供進(jìn)一步節(jié)省占板面積、節(jié)能及節(jié)省成本的解決方案。詳情請(qǐng)?jiān)L問(wèn)我們的網(wǎng)站（www.epc-co.com.cn）和觀看優(yōu)酷視頻。eGaN® 是Efficient Power Conversion Corporation宜普電源轉(zhuǎn)換公司的注冊(cè)商標(biāo)。
