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深圳2021年6月17日 /美通社/ -- 宜鼎國(guó)際今正式發(fā)布工業(yè)級(jí)DDR5 DRAM模塊。從日前JEDEC所公布的DDR5標(biāo)準(zhǔn)與DDR4相比，第五代內(nèi)存效能大幅提升，不僅表現(xiàn)在速度和容量增加，在結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)上也突破過(guò)往限制。而隨著宜鼎工業(yè)級(jí)DDR5的正式推出，將可于市場(chǎng)進(jìn)一步證明此新規(guī)格之可靠與穩(wěn)定性，并滿(mǎn)足各種工控市場(chǎng)的嚴(yán)格要求。宜鼎目前已針對(duì)服務(wù)器、數(shù)據(jù)中心、5G應(yīng)用、物聯(lián)網(wǎng)等高階運(yùn)算需求逐漸釋出。而看好服務(wù)器系統(tǒng)的內(nèi)存容量及帶寬擴(kuò)張需求，新一代DDR5將能大幅提升人工智能（AI）與數(shù)據(jù)中心的高效能運(yùn)算（HPC）工作負(fù)載。
Innodisk宜鼎國(guó)際工業(yè)級(jí)DDR5 DRAM模塊
做為工業(yè)級(jí)存儲(chǔ)的全球市場(chǎng)領(lǐng)導(dǎo)者，宜鼎國(guó)際所發(fā)表的DDR5 DRAM模塊在容量、速度、電壓和ECC功能方面都達(dá)到明顯強(qiáng)化。最新的DDR5最高容量上限可增加至128GB；速度也可望提升兩倍至最高6400MT/s。此外，DDR5整體功耗自1.2V下降至1.1V，省電效率方面也再度升級(jí)。
從結(jié)構(gòu)方面來(lái)看，DDR5與DDR4最大不同在于將電源管理移置在DIMM，調(diào)整了主板上多余的電路設(shè)計(jì)，原先64 bit 單通道架構(gòu)也會(huì)被32 bit 雙通道取代，ECC DIMM更可同時(shí)針對(duì)兩個(gè)bit error進(jìn)行除錯(cuò)，大幅提高了內(nèi)存效率并提升系統(tǒng)穩(wěn)定度，從而以更高的效率獲得更快的速度。宜鼎目前可提供高達(dá)32GB和4800 MT/s 的 DDR5產(chǎn)品，并以嚴(yán)格測(cè)試與先進(jìn)的 DRAM 技術(shù)帶動(dòng)產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新，目前正積極朝向5G、機(jī)器學(xué)習(xí)、邊緣計(jì)算、智能醫(yī)療等領(lǐng)域擴(kuò)大發(fā)酵。
近期內(nèi)存的市場(chǎng)熱度持續(xù)加溫，DDR5規(guī)范雖然發(fā)表未滿(mǎn)一年，然而來(lái)自終端應(yīng)用的詢(xún)問(wèn)與實(shí)測(cè)已開(kāi)始進(jìn)行中，市場(chǎng)預(yù)期最快將可在第四季度開(kāi)始導(dǎo)入。宜鼎國(guó)際工控DRAM事業(yè)處總經(jīng)理張偉民表示，宜鼎所發(fā)表的高性能工業(yè)級(jí)DDR5產(chǎn)品，激發(fā)了許多客戶(hù)智慧應(yīng)用開(kāi)發(fā)潛力，在嚴(yán)守工控質(zhì)量的標(biāo)準(zhǔn)下，宜鼎堅(jiān)持使用原廠(chǎng)IC，并采用嚴(yán)格測(cè)試的抗硫化與敷型涂層等技術(shù)，最新的DDR5產(chǎn)品也將以最高規(guī)格釋出，并為顧客與市場(chǎng)注入新一波智慧動(dòng)能。
