深圳2020年11月23日 /美通社/ -- 江波龍電子嵌入式存儲(chǔ)品牌FORESEE推出了3款國(guó)產(chǎn)化內(nèi)存,分別為DDR4 SODIMM 8GB、DDR4 UDIMM 8GB、DDR4 UDIMM 16GB,核心DRAM均采用長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)的顆粒,這標(biāo)志著中國(guó)存儲(chǔ)在質(zhì)量上開始參與市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)。
隨著全球存儲(chǔ)行業(yè)的高速發(fā)展,市場(chǎng)上的內(nèi)存層出不窮。那FORESEE國(guó)產(chǎn)化內(nèi)存與市場(chǎng)標(biāo)準(zhǔn)內(nèi)存有何差異?江波龍電子在質(zhì)量創(chuàng)新上又做了哪些舉措?下面將為大家一一揭曉。
從“芯”突破 國(guó)產(chǎn)化內(nèi)存的品質(zhì)之路
FORESEE國(guó)產(chǎn)化內(nèi)存的核心DRAM率先采用長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)的10nm級(jí)最新版本8Gb顆粒,該顆粒已通過江波龍電子EVT完整的顆粒級(jí)測(cè)試。
在主頻方面,F(xiàn)ORESEE國(guó)產(chǎn)化內(nèi)存的頻率為2666MHz,綜合對(duì)比已達(dá)到國(guó)際一線水平。在設(shè)計(jì)架構(gòu)上,均采用8Gb顆粒,速度和穩(wěn)定性均有了很大的提升。
2019年9月,長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)發(fā)布與國(guó)際主流DRAM產(chǎn)品同步的10nm級(jí)第一代8Gb DDR4。目前,長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)正使用其 10G1 技術(shù)來制造8Gb DDR4 存儲(chǔ)器芯片,經(jīng)過多次迭代和優(yōu)化,其工藝已進(jìn)入國(guó)際化主流水平,其技術(shù)突破和自主制造已達(dá)到行業(yè)一流。
不斷完善測(cè)試流程 打造高質(zhì)量產(chǎn)品
江波龍電子具備完整的測(cè)試認(rèn)證試驗(yàn)流程和實(shí)驗(yàn)室環(huán)境,提供材料科學(xué)實(shí)驗(yàn)室、可靠性實(shí)驗(yàn)室、靜電實(shí)驗(yàn)室三大實(shí)驗(yàn)室支持,可完整開展失效模式分析、可靠性分析和材料分析,并自制了一套全面的DVT驗(yàn)證項(xiàng)目流程和可靠性認(rèn)證流程,得到業(yè)內(nèi)廣泛認(rèn)可。
不同于行業(yè)常規(guī)的Advantest和PC測(cè)試,江波龍電子創(chuàng)新采用基于10nm ASIC的自主開發(fā)測(cè)試系統(tǒng),提供最佳的顆粒Margin和耐受度測(cè)試方案。
整合優(yōu)質(zhì)的供應(yīng)鏈資源 為產(chǎn)品保駕護(hù)航
從原材料供應(yīng)到生產(chǎn)制造,皆為本土企業(yè)在國(guó)內(nèi)完成,這得益于中國(guó)存儲(chǔ)日益強(qiáng)大的產(chǎn)業(yè)鏈能力。
FORESEE國(guó)產(chǎn)化內(nèi)存的PCB基板基于JEDEC R/C標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行設(shè)計(jì)規(guī)范,并已經(jīng)過市場(chǎng)各方面應(yīng)用NPO。
除此之外,生產(chǎn)制造由國(guó)內(nèi)知名MES企業(yè)完成,通過完善的自動(dòng)化體系和精益化生產(chǎn)管理,實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品的高質(zhì)量輸出,把守產(chǎn)品的質(zhì)量底線。
真實(shí)數(shù)據(jù) 展示硬核性能
FORESEE新推出的國(guó)產(chǎn)化內(nèi)存已通過一系列兼容性測(cè)試,在單通、雙通、四通滿載Loading上都保持100%的測(cè)試通過率,在穩(wěn)定性上的表現(xiàn)非常優(yōu)異。
目前也通過了國(guó)際主流方案的Intel Z390、Intel H310、AMD B450 、AMD X570和國(guó)產(chǎn)方案的飛騰FT2000/4、鯤鵬920這些測(cè)試平臺(tái),取得了不錯(cuò)的成績(jī)。
江波龍電子一直堅(jiān)持品牌、質(zhì)量、合規(guī)、價(jià)值的經(jīng)營(yíng)理念,領(lǐng)先向全球用戶發(fā)布高品質(zhì)、高性能的存儲(chǔ)產(chǎn)品,不斷超越用戶對(duì)存儲(chǔ)產(chǎn)品的期望值。