亮點(diǎn):
加州圣何塞2020年9月10日 /美通社/ -- Rambus Inc.(NASDAQ:RMBS)是一家專(zhuān)注于使數(shù)據(jù)更快更安全并領(lǐng)先業(yè)界的silicon IP和芯片提供商。今天,宣布它的 HBM2E內(nèi)存接口解決方案實(shí)現(xiàn)了創(chuàng)紀(jì)錄的4 Gbps性能。該解決方案由完全集成的PHY和控制器組成,搭配業(yè)界最快的,來(lái)自SK hynix的3.6Gbps運(yùn)行速度的HBM2E DRAM,該解決方案可以從單個(gè)HBM2E設(shè)備提供460 GB/s的帶寬。此性能可以滿足TB級(jí)的帶寬需求,針對(duì)最苛刻的AI/ML訓(xùn)練和高性能的加速器計(jì)算(HPC)應(yīng)用而生。
“基于Rambus取得的此成就,AI和HPC系統(tǒng)的設(shè)計(jì)師們進(jìn)行系統(tǒng)設(shè)計(jì)時(shí)就可以使用來(lái)自SK hynix 以3.6Gbps的速度運(yùn)行世界上最快的HBM2E DRAM,” SK hynix 發(fā)言人,產(chǎn)品計(jì)劃副總裁Uksong Kang說(shuō)道?!敖衲?月,我們宣布全面量產(chǎn)HBM2E,可用于要求最高帶寬的最新計(jì)算應(yīng)用程序?!?/p>
完全集成并已可投產(chǎn)的Rambus HBM2E內(nèi)存子系統(tǒng)以4Gbps的速度運(yùn)行,無(wú)需要求PHY電壓過(guò)載。Rambus與SK hynix和Alchip的合作,采用臺(tái)積公司領(lǐng)先的N7工藝和CoWoS®先進(jìn)封裝技術(shù),實(shí)現(xiàn)了HBM2E 2.5D系統(tǒng)在硅中驗(yàn)證Rambus HBM2E PHY和內(nèi)存控制器IP。Alchip與Rambus的工程團(tuán)隊(duì)共同設(shè)計(jì),負(fù)責(zé)中介層和封裝基板的設(shè)計(jì)。
臺(tái)積公司設(shè)計(jì)基礎(chǔ)設(shè)施管理部資深部長(zhǎng)Suk Lee表示:“Rambus及其合作伙伴基于臺(tái)積公司先進(jìn)的制程工藝和封裝技術(shù)所取得的進(jìn)步,是我們與Rambus持續(xù)合作的又一重要成果。我們期待與Rambus繼續(xù)合作,以實(shí)現(xiàn)AI/ML和HPC應(yīng)用程序的最高性能?!?/p>
“透過(guò)本次合作,Alchip在7奈米和2.5D封裝設(shè)計(jì)方面取得了顯著的成功,”Alchip Technologies首席執(zhí)行官Johnny Shen說(shuō)?!拔覀?yōu)镽ambus的突破性成就所做的貢獻(xiàn)感到非常自豪?!?/p>
Rambus擁有30年的高速內(nèi)存設(shè)計(jì)經(jīng)驗(yàn),并將其應(yīng)用于最苛刻的計(jì)算應(yīng)用。其著名的信號(hào)完整性專(zhuān)業(yè)知識(shí)是實(shí)現(xiàn)能夠運(yùn)行4 Gbps的HBM2E內(nèi)存接口的關(guān)鍵。這為滿足AI/ML訓(xùn)練中永不滿足的帶寬需求立下了一個(gè)新的標(biāo)桿。
“隨著硅運(yùn)算速度高達(dá)4 Gbps,對(duì)設(shè)計(jì)師們而言,可驗(yàn)證未來(lái)HBM2E升級(jí)實(shí)現(xiàn)方向,并有信心為3.6 Gbps的設(shè)計(jì)提供充足的裕量空間?!?nbsp;Rambus IP core 總經(jīng)理及資深總監(jiān) Matthew Jones說(shuō)道:“參與每個(gè)客戶項(xiàng)目過(guò)程,Rambus提供2.5D封裝和中介層提供參考設(shè)計(jì),以確保任務(wù)關(guān)鍵型AI/ML設(shè)計(jì)一步到位成功實(shí)現(xiàn)?!?/p>
Rambus HBM2E內(nèi)存接口(PHY和控制器)的優(yōu)點(diǎn):
更多關(guān)于Rambus接口IP,PHYs和控制器的信息,請(qǐng)?jiān)L問(wèn)以下網(wǎng)頁(yè)rambus.com/interface-ip