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VisIC Technologies Ltd推出新一代產(chǎn)品,創(chuàng)造業(yè)界紀錄

其氮化鎵設(shè)備能以較高頻率創(chuàng)造較高效率
VisIC Technologies Ltd
2016-06-06 09:00 8039
VisIC Technologies欣然宣布推出新一代高級低損耗開關(guān)V22S65A(配有內(nèi)部碳化硅二極管)和V22N65A(不配有內(nèi)部碳化硅二極管)。

以色列特拉維夫2016年6月6日電 /美通社/ -- VisIC Technologies欣然宣布推出新一代高級低損耗開關(guān)V22S65A(配有內(nèi)部碳化硅二極管)和V22N65A(不配有內(nèi)部碳化硅二極管)。

輸入電壓=401.219Vdc -- 輸入電流=6.2362A -- 輸出電壓=229.626V -- 輸出電流=10.822A -- 輸入功率=2502W -- 輸出功率=2485W -- 上升時間=11.5ns -- 下降時間=18.5ns -- 效率=99.3%

全開關(guān)產(chǎn)品

 

測試參數(shù):-- 持續(xù)電流模式 -- 開關(guān)頻率200khz -- 死區(qū)時間100ns

測試參數(shù)-持續(xù)電流模式- 開關(guān)頻率200khz- 死區(qū)時間100ns- 輸入電壓 =401.219Vdc 輸出電壓=229.626V 輸入功率=2502W 上升時間=11.5ns 效率=99.3% 輸入電流=6.2362A 輸出電流=10.822A 輸出功率=2485W 下降時間=18.5ns

 

(圖片:http://photos.prnewswire.com/prnh/20160603/375139
(圖片:http://photos.prnewswire.com/prnh/20160603/375140

這一新版VisIC高級低損耗開關(guān)產(chǎn)品系列可以顯著減少米勒效應(yīng)(MILLER effect),支持輕松提供將被用于基于VisIC的設(shè)計的標準驅(qū)動電路。這些新設(shè)備還能幫助降低關(guān)于特殊應(yīng)用所用材料的費用。

V22系列產(chǎn)品在拓撲方面非常有效,能夠被用于零電壓開關(guān)(Zero Voltage Switching)或零電流開關(guān)(Zero Current Switching)拓撲領(lǐng)域。在650伏氮化鎵/碳化硅MOSFET晶體管中,該系列擁有較低的導(dǎo)通電阻(Rdson),而且可以憑借超過100V/nS的壓擺率,實現(xiàn)效率超高的功率變換。

此外,由于閾值電壓超過了5伏,新款設(shè)備在惡劣的EMI(電磁干擾)環(huán)境中也能很好地工作。

VisIC Technologies已經(jīng)憑借其半橋(Half Bridge)演示電路板的強大性能,展示了其所創(chuàng)造的全球紀錄 -- 在輸出功率達2.5KW的硬切換拓撲中,頻率達200 kHz時,較高效率超過99.3%

消息來源:VisIC Technologies Ltd
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